MJE13009G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

700 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

12 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

40

Höhe:

9.28 mm (Max)

Länge:

10.28 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.82 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

12 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

8

Pd - Verlustleistung:

12 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

MJE13009, MJE1300, MJE130, MJE13, MJE1, MJE