NTLUD4C26NTAG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UDFN-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

5.5 nC, 5.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

23 S, 23 S

Abfallzeit:

1.7 ns, 1.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns, 13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 5 ns

Gewichtseinheit:

0.000300 oz

Tags

NTLUD, NTLU, NTL