ZXMHC10A07T8TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SM-8

Anzahl der Kanäle:

4 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms, 1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

2.9 nC, 3.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.3 W

Aufbau:

Quad

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.7 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXMHC10

Transistortyp:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.6 S, 1.2 S

Abfallzeit:

2.1 ns, 3.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.5 ns, 2.1 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.1 ns, 5.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.8 ns, 1.6 ns

Tags

ZXMHC1, ZXMHC, ZXMH, ZXM