C3M0120090J-TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

SiC

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

900 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

22 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

18 V, - 8 V

Qg - Gate-Ladung:

17.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

83 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Typ:

Siliziumkarbid-MOSFET

Marke:

Wolfspeed / Cree

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.7 S

Abfallzeit:

5 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.5 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M