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IXFR48N60P

IXFR48N60P
Mfr. #:
IXFR48N60P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 600V 48A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFR48N60P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFR48N60P DatasheetIXFR48N60P Datasheet (P4)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFR48N60P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
150 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
300 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.34 mm
Länge:
16.13 mm
Serie:
IXFR48N60
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.21 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
53 S
Abfallzeit:
22 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
25 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Gewichtseinheit:
0.186952 oz
Tags
IXFR48, IXFR4, IXFR, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 600 V 150 mOhm Enhancement Mode Power MOSFET - ISOPLUS-247
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 32A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
***ark
Mosfet, N-Ch, 600V, 32A, Isoplus-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:32A; On Resistance Rds(On):0.15Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
HiPerFET™ Power MOSFETs
IXYS  Polar HT™/HV™ HiPerFET™ Power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFR48N60P
DISTI # IXFR48N60P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$12.6170
IXFR48N60P
DISTI # 747-IXFR48N60P		IXYS CorporationMOSFET 600V 48A
RoHS: Compliant		0
  • 1:$15.6900
  • 10:$14.2600
  • 25:$13.1900
  • 50:$12.1300
  • 100:$11.8400
  • 250:$10.8500
  • 500:$9.8500
IXFR48N60P
DISTI # 2784062		IXYS CorporationMOSFET, N-CH, 600V, 32A, ISOPLUS-247
RoHS: Compliant		0
  • 1:£12.3300
  • 5:£11.9700
  • 10:£9.8700
  • 50:£9.2500
  • 100:£9.0300
Bild Teil # Beschreibung
ER58R07KT

Mfr.#: ER58R07KT

OMO.#: OMO-ER58R07KT-TE-CONNECTIVITY-AMP

 Wirewound Resistors - Through Hole ER58 R07 10% AMMO
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
3500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
15,69 $
15,69 $
10
14,26 $
142,60 $
25
13,19 $
329,75 $
50
12,13 $
606,50 $
100
11,84 $
1 184,00 $
250
10,85 $
2 712,50 $
500
9,85 $
4 925,00 $
1000
8,99 $
8 990,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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