NVMTS0D6N04CLTXG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-88-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

554.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

420 uOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

126 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

245.4 W

Aufbau:

Single Triple Source Quad Drain

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel Power MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

323 S

Abfallzeit:

84.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

111 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

180 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

89.4 ns

Tags

NVMTS0D, NVMT, NVM