FZT655TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

150 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

180 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FZT655

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50

Höhe:

1.65 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, 5 V

Pd - Verlustleistung:

2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

FZT655, FZT65, FZT6, FZT