BC638TF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BC638

DC-Stromverstärkung hFE Max:

160

Höhe:

4.7 mm

Länge:

4.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.93 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

BC638TF, BC638T, BC638, BC63, BC6