FDN5632N-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSOT-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

98 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

UltraFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.12 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

FDN5632N_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Power Trench MOSFET

Breite:

1.4 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

1.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

5.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

FDN5632N_F085

Gewichtseinheit:

0.001058 oz

Tags

FDN5632N-F, FDN5632N, FDN5632, FDN563, FDN56, FDN5, FDN