NTJD2152PT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

8 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

775 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

510 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

270 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S

Abfallzeit:

23 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

NTJD2152PT, NTJD2152, NTJD2, NTJD, NTJ