NTMFS4935NT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-FL-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

93 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.63 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

49.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Serie:

NTMFS4935N

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

32 S

Abfallzeit:

6.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16.3 ns

Tags

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