DMTH6004SCTB-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

95.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

4.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.82 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

DMTH6004

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11.7 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13.2 ns

Gewichtseinheit:

0.068654 oz

Tags

DMTH6004S, DMTH6004, DMTH600, DMTH60, DMTH6, DMTH, DMT