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SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3
Mfr. #:
SIS430DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIS430DN-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
SISxxxDN
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SIS430DN-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAK-1212-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Quad Drain Triple Source
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3.8 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
35 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
5.6 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
25 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
61 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SIS430, SIS43, SIS4, SIS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIS430DN-T1-GE3
DISTI # SIS430DN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		2In Stock
  • 1:$1.2300
SIS430DN-T1-GE3
DISTI # SIS430DN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.4774
SIS430DN-T1-GE3
DISTI # SIS430DN-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    SIS430DN-T1-GE3
    DISTI # SIS430DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 21.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SIS430DN-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape and Reel    		Europe - 0
    • 3000:€0.9059
    • 6000:€0.6499
    • 12000:€0.5269
    • 18000:€0.4659
    • 30000:€0.4459
    SIS430DN-T1-GE3
    DISTI # 70616571    		Vishay SiliconixSIS430DN-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor,21 A,25 V,8-Pin PowePAK 1212
    RoHS: Compliant    		0
    • 300:$0.5900
    • 600:$0.5800
    • 1500:$0.5600
    • 3000:$0.5500
    SIS430DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SIS430DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
    RoHS: Compliant    		2104
    • 1:$1.0900
    • 10:$0.8930
    • 100:$0.6860
    • 500:$0.5900
    • 1000:$0.4650
    • 3000:$0.4340
    • 6000:$0.4130
    • 9000:$0.4030
    SIS430DN-T1-GE3
    DISTI # 8141308P    		Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET N-CH 25V 21.5A, RL2250
    • 100:£0.5140
    • 200:£0.4870
    SIS430DNT1GE3Vishay Intertechnologies 
    RoHS: Compliant    		Europe - 3000
      Bild Teil # Beschreibung
      SIS430DN

      Mfr.#: SIS430DN

      OMO.#: OMO-SIS430DN-1190

      		 Neu und Original
      SIS430DN-GE3

      Mfr.#: SIS430DN-GE3

      OMO.#: OMO-SIS430DN-GE3-1190

      		 Neu und Original
      SIS430DN-T1-GE3

      Mfr.#: SIS430DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIS430DN-T1-GE3-VISHAY

      		 MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
      Verfügbarkeit
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      Available
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      0,54 $
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      0,51 $
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