DMC21D1UDA-7B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X2-DFN0806-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

455 mA, 328 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

500 mOhms, 1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV, 1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

410 pC, 400 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

12 ns, 15.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.4 ns, 4.3 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns, 31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns, 5.2 ns

Gewichtseinheit:

0.000952 oz

Tags

DMC2, DMC