DMG1029SVQ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA, - 360 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.7 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V, - 3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

0.3 nC, 0.28 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS, 50 mS

Abfallzeit:

9.9 ns, 11.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.4 ns, 7.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15.7 ns, 10.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.9 ns, 5.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000952 oz

Tags

DMG1029, DMG102, DMG1, DMG