ZXTP19100CZTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 100 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 110 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 220 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

142 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTP191

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 100 mA, 2 V, 70 at 1 A, 2 V, 20 at 2 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

4460 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

ZXTP191, ZXTP1, ZXTP, ZXT