AUIRF2805S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

135 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.7 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

150 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Pd - Verlustleistung:

200 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

110 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

120 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

68 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Teil # Aliase:

SP001519486

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

AUIRF2805S, AUIRF2805, AUIRF28, AUIRF2, AUIRF, AUIR, AUI