SFT1341-W

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

86 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

15 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.6 S

Abfallzeit:

80 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

50 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

81 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

SFT1341, SFT134, SFT13, SFT1, SFT