DMP2022LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

56.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5.3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMP2022

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

4.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

28 S

Abfallzeit:

76.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.9 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

108 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.5 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

DMP2022LSS-1, DMP2022LSS, DMP2022, DMP202, DMP20, DMP2, DMP