TC58BYG0S3HBAI4

Mfr. #:: TC58BYG0S3HBAI4
Hersteller:: Toshiba Memory
Beschreibung:: NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:: Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:: TC58BYG0S3HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:: DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

Produkteigenschaft
Attributwert

Hersteller:: Toshiba

Produktkategorie:: Nand Flash

RoHS:: Y

Montageart:: SMD/SMT

Paket / Koffer:: TFBGA-63

Speichergröße:: 1 Gbit

Oberflächentyp:: Parallel

Organisation:: 128 M x 8

Timing-Typ:: Synchron

Datenbusbreite:: 8 bit

Versorgungsspannung - Min.:: 1.7 V

Versorgungsspannung - Max.:: 1.95 V

Versorgungsstrom - Max.:: 30 mA

Minimale Betriebstemperatur:: - 40 C

Maximale Betriebstemperatur:: + 85 C

Verpackung:: Tablett

Speichertyp:: NAND

Produkt:: Nand Flash

Geschwindigkeit:: 25 ns

Die Architektur:: Block löschen

Marke:: Toshiba-Speicher

Maximale Taktfrequenz:: -

Feuchtigkeitsempfindlich:: ja

Produktart:: Nand Flash

Werkspackungsmenge:: 210

Unterkategorie:: Speicher & Datenspeicherung

Tags: TC58BYG0S3HBAI4, TC58BYG0S3HB, TC58BYG0S3, TC58BYG0, TC58BY, TC58B, TC58, TC5

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TC58BYG0S3HBAI4 Beschreibung

***et: 1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V

***i-Key: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Market price

Teil #	Mfg.	Beschreibung	Aktie	Preis
TC58BYG0S3HBAI4 DISTI # TC58BYG0S3HBAI4-ND	Toshiba Semiconductor and Storage Products	1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Temporarily Out of Stock	210:$3.0750
TC58BYG0S3HBAI4 DISTI # TC58BYG0S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58BYG0S3HBAI4) RoHS: Compliant Min Qty: 210 Container: Tray	Americas - 0	210:$2.2900 420:$2.2900 840:$2.1900 1260:$2.1900 2100:$2.0900
TC58BYG0S3HBAI4 DISTI # 757-TC58BYG0S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	0	1:$4.2000 10:$3.3800 100:$3.0800 250:$2.7800 500:$2.5000 1000:$2.1000 2500:$2.0000

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	Mfr.#: MT29F16G08CBACAWP:C TR OMO.#: OMO-MT29F16G08CBACAWP-C-TR	NAND Flash MLC 16G 2GX8 TSOP
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	Mfr.#: S29AL016J70TFI010 OMO.#: OMO-S29AL016J70TFI010	NOR Flash 16Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
	Mfr.#: S29AL008J70BFI020 OMO.#: OMO-S29AL008J70BFI020	NOR Flash 8Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
	Mfr.#: TH58NVG3S0HTAI0 OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	EEPROM 3.3V, 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
	Mfr.#: S29AL008J70BFI020 OMO.#: OMO-S29AL008J70BFI020-CYPRESS-SEMICONDUCTOR	IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA AL-J
	Mfr.#: S29AL016J70TFI010 OMO.#: OMO-S29AL016J70TFI010-CYPRESS-SEMICONDUCTOR	IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
	Mfr.#: MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR OMO.#: OMO-MT28FW02GBBA1HPC-0AAT-TR-MICRON-TECHNOLOGY	IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA Automotive, AEC-Q100

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