SQM100N04-2m7_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.25 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

145 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

157 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

201 S

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

48 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.068654 oz

Tags

SQM100N04, SQM100N0, SQM100N, SQM100, SQM10, SQM1, SQM