BSC065N06LS5ATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

64 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

46 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Serie:

OptiMOS 5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

32 S

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

BSC065N06LS5 SP001385614

Tags

BSC06, BSC0, BSC