FJP5021RTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

500 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

800 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

18 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50

Höhe:

9.2 mm

Länge:

9.9 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

15

Pd - Verlustleistung:

50 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

FJP5021RTU_NL

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

FJP5021R, FJP5021, FJP50, FJP5, FJP