DMC3032LSD-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.1 A, 7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

32 Ohms, 39 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

9.2 nC, 21.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMC3032

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

2.84 ns, 22.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.18 ns, 6.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.92 ns, 50.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.4 ns, 10.1 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMC3032LSD-1, DMC3032LSD, DMC3032, DMC303, DMC30, DMC3, DMC