2N3734

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-39-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

200 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

250 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

2N3734

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120 at 1 A, 1.5 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30 at 1 A, 1.5 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N3734 PBFREE

Tags

2N373, 2N37, 2N3