TC58NYG0S3EBAI4

TC58NYG0S3EBAI4
Mfr. #:
TC58NYG0S3EBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG0S3EBAI4)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58NYG0S3EBAI4 Datenblatt
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
TOSHIBA
Produktkategorie
IC-Chips
Tags
TC58NYG0S3E, TC58NYG0, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Packaging Boxes
***et
SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA
*** Source Electronics
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58NYG0S3EBAI4
DISTI # TC58NYG0S3EBAI4
Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG0S3EBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray
Americas - 0
    TC58NYG0S3EBAI4
    DISTI # 757-TC58NYG0S3EBAI4
    Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      TC58NYG2S0HBAI4

      Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI4

      NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TC58NYG1S3HBAI6

      Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6

      OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6

      NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TC58NYG1S8EBAI4

      Mfr.#: TC58NYG1S8EBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG1S8EBAI4-1190

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      TC58NYG3S0FBAID

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      OMO.#: OMO-TC58NYGOS3EBAI4-1190

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      TC58NYG2S0HBAI6

      Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI6

      OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

      EEPROM 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
      TC58NYG1S3HBAI4

      Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

      Flash Memory 2Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
      TC58NYG0S3HBAI6-ND

      Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6-ND

      OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-ND-1190

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      OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI6-ND-1190

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