IPP120N20NFD

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

84 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

65 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS Fast Diode

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

70 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

IPP120N20NFDAKSA1 SP001108122

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

IPP120N, IPP120, IPP12, IPP1, IPP