APT20M11JVFR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Rohr

Aufbau:

Single

Höhe:

9.6 mm

Länge:

38.2 mm

Breite:

25.4 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

10 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

175 A

Pd - Verlustleistung:

700 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Handelsname:

POWER MOS V, ISOTOP

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

75 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

APT20M11, APT20M1, APT20M, APT20, APT2, APT