BSO080P03S H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

- 102 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

43 S

Abfallzeit:

110 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

130 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

BSO080P03SHXUMA1 BSO8P3SHXT SP000613798

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

BSO080P03SH, BSO080P03S, BSO080P0, BSO080, BSO08, BSO0, BSO