FQE10N20CTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

360 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

12.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

11 mm

Länge:

8 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.5 S

Abfallzeit:

72 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

92 ns

Werkspackungsmenge:

60

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

FQE10N20CTU_NL

Gewichtseinheit:

0.014110 oz

Tags

FQE