NVMFD5877NLWFT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-5x6-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

31 mOhms, 31 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

20 nC, 20 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

23 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

NVMFD5877NL

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7 S, 7 S

Abfallzeit:

2.4 ns, 2.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.4 ns, 6.4 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14.5 ns, 14.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.9 ns, 4.9 ns

Tags

NVMFD5877, NVMFD587, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM