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RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF
Mfr. #:
RN1911FETE85LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1911FETE85LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Toshiba Halbleiter und Speicher
Produktkategorie
Transistoren (BJT) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Gewichtseinheit
0.000106 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-563, SOT-666
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
ES6
Aufbau
Dual
Leistung max
100mW
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom-Kollektor-Ic-Max
100mA
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
50V
Widerstand-Basis-R1-Ohm
10k
Widerstand-Emitter-Basis-R2-Ohm
-
DC-Strom-Verstärkung-hFE-Min-Ic-Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung-Max-Ib-Ic
300mV @ 250μA, 5mA
Strom-Kollektor-Abschalt-Max
100nA (ICBO)
Frequenz-Übergang
250MHz
Pd-Verlustleistung
100 mW
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
50 V
Transistor-Polarität
NPN
Emitter-Basis-Spannung-VEBO
5 V
Maximaler-DC-Kollektor-Strom
100 mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom
100 mA
DC-Kollektor-Basis-Gain-hfe-Min
120
Typischer-Eingangs-Widerstand
10 kOhms
Tags
RN1911FET, RN1911FE, RN1911F, RN1911, RN191, RN19, RN1
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1911FETE85LF
DISTI # RN1911FETE85LFTR-ND		Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape & Reel (TR)		4000In Stock
  • 4000:$0.0388
RN1911FETE85LF
DISTI # RN1911FETE85LFCT-ND		Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3815In Stock
  • 1000:$0.0471
  • 500:$0.0690
  • 250:$0.0832
  • 100:$0.1412
  • 25:$0.1960
  • 10:$0.2160
  • 1:$0.2400
RN1911FETE85LF
DISTI # RN1911FETE85LFDKR-ND		Toshiba America Electronic ComponentsTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    RN1911FETE85LF
    DISTI # 757-RN1911FETE85LF    		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
    RoHS: Compliant    		3880
    • 1:$0.4200
    • 10:$0.2690
    • 100:$0.1120
    • 1000:$0.0770
    • 4000:$0.0580
    • 8000:$0.0500
    • 24000:$0.0470
    • 48000:$0.0440
    • 100000:$0.0380
    Bild Teil # Beschreibung
    RN1911FETE85LF

    Mfr.#: RN1911FETE85LF

    OMO.#: OMO-RN1911FETE85LF

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
    RN1911FETE85LF

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    OMO.#: OMO-RN1911FETE85LF-TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
    RN1911FETE85LFCT-ND

    Mfr.#: RN1911FETE85LFCT-ND

    OMO.#: OMO-RN1911FETE85LFCT-ND-1190

    		 Neu und Original
    RN1911FETE85LFDKR-ND

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    RN1911FE(T5L,F,T)

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    		 Neu und Original
    RN1911FE(TE85LF)

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    OMO.#: OMO-RN1911FE-TE85LF--1190

    		 Neu und Original
    RN1911FE(TLR3MOT)

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    RN1911FS

    Mfr.#: RN1911FS

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    0,05 $
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