FMM110-015X2F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

ISOPLUS-i4-PAK-5

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

53 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

150 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

180 W

Aufbau:

Dual

Handelsname:

TrenchT2

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

FMM110-015X2F

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

75 S

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

FMM11, FMM1, FMM