ZXMHC6A07N8TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

4 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.8 A, 1.42 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

250 mOhms, 400 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

3.2 nC, 5.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.87 W

Aufbau:

Quad

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ZXMHC6

Transistortyp:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.3 S, 1.8 S

Abfallzeit:

2 ns, 5.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.4 ns, 2.3 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.9 ns, 13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.8 ns, 1.6 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMHC6, ZXMHC, ZXMH, ZXM