DMT2004UFDF-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-DFN2020-F-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

550 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

53.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

12.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

38.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.9 ns

Gewichtseinheit:

0.000238 oz

Tags

DMT2004UF, DMT2004, DMT200, DMT20, DMT2, DMT