NTP52N10G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

214 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.28 mm

Länge:

10.28 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

31 S

Abfallzeit:

100 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

95 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

74 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

NTP52N1, NTP52, NTP5, NTP