DMN10H220LE-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

220 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN10

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

3.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.2 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.8 ns

Gewichtseinheit:

0.009171 oz

Tags

DMN10H2, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN