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IPL60R2K1C6SATMA1

IPL60R2K1C6SATMA1
Mfr. #:
IPL60R2K1C6SATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 8TSON
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPL60R2K1C6SATMA1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Infineon-Technologien
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
XPL60R2
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
IPL60R2K1C6S SP001163026
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
CoolMOS
Paket-Koffer
SON-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
21.6 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 40 C
Abfallzeit
50 ns
Anstiegszeit
7 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
30 V
ID-Dauer-Drain-Strom
2.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
3 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
2.1 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
30 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
7 ns
Qg-Gate-Ladung
6.7 nC
Tags
IPL60R2, IPL60, IPL6, IPL
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
***et
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 5-Pin TPAK T/R
***et Europe
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
***ineon
The new CoolMOS ThinPAK 5x6 is a leadless SMD package especially designed for high voltage MOSFETs. This new package has a very small footprint of 5x6mm 2 and a very low profile with only 1mm height. | Summary of Features: Small footprint (5x6mm); Low profile (1mm); Low parasitic inductance; RoHS compliant; Halogen free mold compound | Benefits: Reduced board space consumption; Increased power density; Short commutation loop; Easy to use products; Environmentally friendly | Target Applications: Adapter; Consumer; Lighting
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPL60R2K1C6SATMA1
DISTI # V72:2272_06384808		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R4600
  • 75000:$0.2935
  • 30000:$0.2992
  • 15000:$0.3049
  • 6000:$0.3106
  • 3000:$0.3163
  • 1000:$0.3184
  • 500:$0.3689
  • 250:$0.3972
  • 100:$0.3994
  • 50:$0.4577
  • 25:$0.4599
  • 10:$0.4620
  • 1:$0.4978
IPL60R2K1C6SATMA1
DISTI # IPL60R2K1C6SATMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 8TSON
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPL60R2K1C6SATMA1
    DISTI # 26195603    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R4600
    • 15000:$0.3278
    • 6000:$0.3339
    • 3000:$0.3400
    • 1000:$0.3423
    • 500:$0.3966
    • 250:$0.4270
    • 100:$0.4294
    • 50:$0.4920
    • 25:$0.4944
    • 20:$0.4966
    IPL60R2K1C6SATMA1
    DISTI # 726-IPL60R2K1C6SATMA    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6
    RoHS: Compliant    		2984
    • 1:$0.8400
    • 10:$0.7150
    • 100:$0.5490
    • 500:$0.4850
    • 1000:$0.3830
    • 5000:$0.3400
    Bild Teil # Beschreibung
    IPL60R2K1C6SATMA1

    Mfr.#: IPL60R2K1C6SATMA1

    OMO.#: OMO-IPL60R2K1C6SATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 8TSON
    IPL60R2K1C6S

    Mfr.#: IPL60R2K1C6S

    OMO.#: OMO-IPL60R2K1C6S-1190

    		 Infineon LOW POWER_LEGACY
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    Available
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    0,44 $
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    4,18 $
    100
    0,40 $
    39,62 $
    500
    0,37 $
    187,10 $
    1000
    0,35 $
    352,20 $
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