SPP21N50C3XKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

PG-TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

190 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

95 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

208 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Serie:

CoolMOS C3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

18 S

Abfallzeit:

4.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

67 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

SP000681066 SPP21N50C3 SPP21N5C3XK

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

SPP21N50C3, SPP21N5, SPP21N, SPP21, SPP2, SPP