DMC3016LSD-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.2 A, 6.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms, 30 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

11.3 nC, 10.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMC3016

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

5.6 ns, 40.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16.5 ns, 17.1 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26.1 ns, 60.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.8 ns, 9.7 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMC3016LS, DMC3016, DMC301, DMC30, DMC3, DMC