BSS169H6327XT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PG-SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

2.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BSS169

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

SIPMOS Kleinsignaltransistor

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.1 S

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.9 ns

Teil # Aliase:

BSS169 BSS169H6327XTSA1 H6327 SP000702572

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSS169H63, BSS169H, BSS169, BSS16, BSS1, BSS