FDZ293P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

BGA-9

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

34 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.62 mm

Länge:

1.7 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

24 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

FDZ293P, FDZ293, FDZ29, FDZ2, FDZ