BD1366STU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 45 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 45 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250

Höhe:

11 mm

Länge:

8 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

12.5 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

60

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.026843 oz

Tags

BD136, BD13, BD1