BSH105,215

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.05 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

200 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

3.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

417 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel MOS Transistor

Breite:

1.4 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2 ns

Teil # Aliase:

BSH105 T/R

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSH105,2, BSH105, BSH10, BSH1, BSH