STFW8N120K5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PF-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

13.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

STFW8N120K5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

300

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15.5 ns

Tags

STFW, STF