BSC030P03NS3 G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

186 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS P3

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

47 S

Abfallzeit:

33 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

105 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

98 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

27 ns

Teil # Aliase:

BSC030P03NS3GAUMA1 BSC3P3NS3GXT SP000442470

Gewichtseinheit:

0.003527 oz

Tags

BSC030P0, BSC030P, BSC030, BSC03, BSC0, BSC