ZXT13P12DE6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-6

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 29 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 150 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

55 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXT13P12

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 4 A, 2 V, 20 at 15 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000229 oz

Tags

ZXT13P12DE6T, ZXT13P1, ZXT13P, ZXT13, ZXT1, ZXT