MJE4353

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-93-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

160 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

160 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

3.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

16 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

1 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

16.2 - 4 mm (Max)

Länge:

15.2 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.9 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

16 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

15

Pd - Verlustleistung:

125 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

MJE435, MJE43, MJE4, MJE