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2SK3176(F)

2SK3176(F)
Mfr. #:
2SK3176(F)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
2SK3176(F) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3PN-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
200 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
52 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
150 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Höhe:
20 mm
Länge:
15.5 mm
Serie:
2SK3176
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
15 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Gewichtseinheit:
0.245577 oz
Tags
2SK317, 2SK31, 2SK3, 2SK
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
***Components
MOSFET N-Channel 200V 30A TO-3PN
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
***ark
MOSFET N CH 30A 200V TO3P; Transistor Type:Power MOSFET; Max Current Id:30A; Max Voltage Vds:200V; On State Resistance:0.052ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:150W; Transistor Case Style:TO-3P; ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET N CH 30A 200V TO3P; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:30A; On State Resistance:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3.5V; Case Style:TO-3P; Termination Type:Through Hole; Transistor Case Style:TO-3P
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 30A, 200V, TO3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.5V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; Current Id Max:30A; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:150W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
2SK3176(F)
DISTI # C1S751200708671		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
RoHS: Compliant		2090
  • 200:$10.0000
  • 100:$10.1000
  • 50:$10.9000
  • 25:$12.2000
  • 10:$12.8000
  • 5:$13.5000
2SK3176(F)
DISTI # 757-2SK3176(F)		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    2SK3105-T1B-A

    Mfr.#: 2SK3105-T1B-A

    OMO.#: OMO-2SK3105-T1B-A-1190

    		 - Bulk (Alt: 2SK3105-T1B-A)
    2SK3108

    Mfr.#: 2SK3108

    OMO.#: OMO-2SK3108-1190

    		 Neu und Original
    2SK3109-ZJ-E1

    Mfr.#: 2SK3109-ZJ-E1

    OMO.#: OMO-2SK3109-ZJ-E1-1190

    		 Neu und Original
    2SK3113-Z

    Mfr.#: 2SK3113-Z

    OMO.#: OMO-2SK3113-Z-1190

    		 Neu und Original
    2SK3113B-ZK-E1-AY

    Mfr.#: 2SK3113B-ZK-E1-AY

    OMO.#: OMO-2SK3113B-ZK-E1-AY-1190

    		 Neu und Original
    2SK3114,K3114

    Mfr.#: 2SK3114,K3114

    OMO.#: OMO-2SK3114-K3114-1190

    		 Neu und Original
    2SK3115

    Mfr.#: 2SK3115

    OMO.#: OMO-2SK3115-1190

    		 Neu und Original
    2SK3120

    Mfr.#: 2SK3120

    OMO.#: OMO-2SK3120-1190

    		 Neu und Original
    2SK3124

    Mfr.#: 2SK3124

    OMO.#: OMO-2SK3124-1190

    		 Neu und Original
    2SK3183

    Mfr.#: 2SK3183

    OMO.#: OMO-2SK3183-1190

    		 Neu und Original
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1500
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