TPCF8104(TE85L,F,M

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VS8-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

28 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

TPCF8104

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.8 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

TPCF8104(TE, TPCF8104(T, TPCF8104, TPCF81, TPCF8, TPCF, TPC